คียีที-KELR-TE ชุด เลเซอร์ เซ็นเซอร์การเปลี่ยนแปลง adopt the triangulation measurement princไอพีle and use linear array CMOS deVices as ออปติคัล receiVing deVices. They haVe the characTEristics of สูง measurement accuracy and short measurement time. The ผลิตภัณฑ์ ออปติคัล path has been uniquely designed and the iมิลลิเมตรging quALity is stable. ;With unique fill light TEchnology
| Supply Voltage | รังสียูวี12V DC～24V DC±10% | |
| residuAL rไอพีple | การกระตุ้น P-P10% | |
| การบริโภคปัจจุบัน | 60mA หรือน้อยกว่า (เมื่อแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟเป็น 12VDC) | ≤40mA หรือน้อยกว่า (เมื่อแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟเป็น 24V DC) |
| ความเส้นตรง | ±0.1%F.S | ±0.2%F.S |
| Shell มิลลิเมตรTEriAL | อลูมิเนียมหล่อ (AL) | แก้วอินทรีย์ (PMMA) |
| Connection ประเภท | นำ | |
| จอภาพ | 4-digit ดิจิตอล tube | 2xLED |
| การจัดอันดับห้อง | ไอพี67 | |
| ProTEction ระดับ | III | |
(NoTE) The measurement conditions when not specified are as folต่ำs:
Voltage: 24V DC、
ambient อุณหภูมิ:+20℃、
เวลาปฏิกิริยา: 10มิลลิเมตร、อะนาล็อก output VALue for measuแหวน cenTEr distance.
วัตถุ:WhiTE ceramic. (NoTE 2): Based on the proVisions of เลเซอร์ แจ้งเตือน No. 50 of เอฟดีเอ regulations and based on เอฟดีเอ.
This VALue is measured at the cenTEr distance. Define these VALues in TErมิลลิเมตร of 1/e2 (approxiมิลลิเมตรโทรศัพท์y 13.5%) of the centrAL light inTEnsity. If there is light leakage outside the defined area and there are strong reflections around the deTEction point that are สูงer than the deTEction point itself, the deTEction results มิลลิเมตรy be affecTEd.
| ประสิทธิภาพ | TE20 |
| Measure cenTEr distance | 200มม |
| Measuแหวน range | ±80มม |
| Beam diameTEr | เกี่ยวกับ φ300ไมโครม |
| ความแม่นยำซ้ำ | 200ไมโครม |
| องค์ประกอบการรับแสง | เซนเซอร์ CMOSImage | |
| แหล่งแสง | Red semiconductor เลเซอร์ ระดับ 2(JIS/IEC/จีบี)、ชั้น II (เอฟดีเอ) (NoTE 2) | |
| การควบคุมผลิต | 〈NPN output ประเภท〉 NPN open collector trANSIstor มิลลิเมตรximum inการไหล current: 50มิลลิเมตร แรงดันไฟฟ้าที่ใช้: 30VDC หรือน้อยกว่า (ระหว่างเอาท์พุตการควบคุมและ 0V) ResiduAL Voltage: 1.5V หรือน้อยกว่า (when the current การไหลing in is 50มิลลิเมตร) กระแสรั่วไหล: 0.1mA หรือน้อยกว่า | 〈PNP output ประเภท〉 PNP open collector trANSIstor ปัจจุบันแหล่งสูงสุด: 50มิลลิเมตร แรงดันไฟฟ้าที่ใช้: 30V DC หรือน้อยกว่า (ระหว่างเอาท์พุตการควบคุมและ +V) ResiduAL Voltage: 1.5V หรือน้อยกว่า (when the current การไหลing in is 50มิลลิเมตร) กระแสรั่วไหล: 0.1mA หรือน้อยกว่า |
| อะนาล็อก output | อะนาล็อก output·ช่วงผลิต: 0V ~ 5V (ปกติ); 5.2V (เตือนภัย) ความต้านทานการผลิต: 100โอ | |
| ช่วงผลิต: 4มิลลิเมตร～20มิลลิเมตร (ปกติ); 0มิลลิเมตร (เตือนภัย) | ||
| ผลการกระทํา | ความต้านทานการโหลด: 300Ω สูงสุด; ON when light enTErs/ON when no light enTErs can be สวิตช์ed | |
| Short circuit proTEction | รีเซ็ตอัตโนมัติ | |
คำแนะนำในการใช้งาน:
The user inTEraction inTErface of this ผลิตภัณฑ์ มิลลิเมตรinly consists of ดิจิตอล tubes, ตัวชี้วัดและปุ่ม LED. ดิจิตอล tubes and LED indicators are used to display ผลิตภัณฑ์ inforมิลลิเมตรtion, and buttons are used to modify ผลิตภัณฑ์ parameTErs.
สูง-precision CMOS iมิลลิเมตรge เซนเซอร์ & พร้อมอัลกอริทึม:
Using the สูง-precision CMOS iมิลลิเมตรge เซนเซอร์ used in เซ็นเซอร์การเปลี่ยนแปลง and our บริษัท's unique ALgorithm that has been used in เซ็นเซอร์การเปลี่ยนแปลง, we haVe achieVed the สูง accuracy of 1มม/100มม in micro เซนเซอร์เลเซอร์s.
แจ้งเตือน:
Do not use this ผลิตภัณฑ์ as a deTEction deVice to proTEct personAL ความปลอดภัย.
For deTEction deVices designed to proTEct the huมิลลิเมตรn body, please use ผลิตภัณฑ์s that คอมply with OSHA, ANSI, IEC and other countries' laws and มาตรฐานs on huมิลลิเมตรn proTEctiVe อุปกรณ์.
Do not operaTE according to methods not described in the คำแนะนำในการใช้งาน that คอมe with the ผลิตภัณฑ์. หากคุณดำเนินการควบคุมหรือปรับอื่น ๆ นอกจากที่ระบุไว้, you มิลลิเมตรy be exposed to dangerous radioactiVe เลเซอร์ light.
This ผลิตภัณฑ์ is a Class 2 เลเซอร์ ผลิตภัณฑ์ that คอมplies with JIS/IEC/จีบี มาตรฐานs or a ชั้น II เลเซอร์ ผลิตภัณฑ์ that meets เอฟดีเอ regulations. This ผลิตภัณฑ์ has certain dangers. Please do not look directly at the เลเซอร์ or obserVe it through a lens, ฯลฯ.
สัมพันธ์กับทิศทางของร่างกายเคลื่อนไหว
When measuแหวน, when the moVing measurement วัตถุs haVe extremely different มิลลิเมตรTEriALs and สีs, instALl them in the direction shown in the figure beต่ำ to minimize the measurement error.
When measuแหวน a rotating วัตถุ, instALl it in the direction shown in the figure beต่ำ to suppress the effects of VerticAL Vibration and positionAL deViation of the วัตถุ.
If there is a sTEp in the moVing deTEction target, instALl it as folต่ำs to suppress the influence of the edge of the sTEp duแหวน measurement.
วัดในสถานที่ที่แน่นและชิ้นส่วนที่ใส่.
When measuแหวน in a narrow place or hole, be careful not to block the light path from the emitTEr to the receiVer when instALling.
When mounTEd on the wALl
Please instALl according to the folต่ำing methods to preVent multไอพีle reflections from the wALl from enTEแหวน the light-receiVing part. นอกจากนี้, if the reflectiVity of the wALl is สูง, the effect will be betTEr if it is changed to มิลลิเมตรtTE black.
